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2011臨床執(zhí)業(yè)醫(yī)師考試輔導(dǎo):突觸后電位

更新時(shí)間:2011-07-06 10:43:33 來源:|0 瀏覽0收藏0

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    2011臨床執(zhí)業(yè)醫(yī)師考試輔導(dǎo):突觸后電位

  根據(jù)突觸后膜去極化或超極化,分為興奮性和抑制型突觸后電位

  (1)興奮性突觸后電位(EPSP)--局部去極化

  前膜釋放的是興奮性遞質(zhì),與突觸后膜對應(yīng)受體結(jié)合,遞質(zhì)門控通道(化學(xué)門控通道)開放,使后膜對Na+和K+的通透性最大,Na+ 內(nèi)流大于K+外流,發(fā)生凈內(nèi)向電流,使突觸后膜發(fā)生局部去極化,產(chǎn)生興奮性突觸后電位(EPSP),

  EPSP大,可使突觸后神經(jīng)元興奮,

  (2)抑制性突觸后電位(IPSP)--局部超級化

  前膜釋放的是抑制性遞質(zhì),與突觸后膜對應(yīng)受體結(jié)合,使后膜上的遞質(zhì)(配體)門控Cl-通道開放,對Cl-的通透性最大,引起外向電流,Cl-內(nèi)流,使突觸后膜發(fā)生超極化,產(chǎn)生抑制性突觸后電位(IPSP),IPSP使突觸后神經(jīng)元抑制。

  另外IPSP形成還與K+ 通道開放或Na+ ,Ca2+通道關(guān)閉有關(guān)

  (突觸傳遞類似神經(jīng)肌肉接頭處的信息傳遞,是一種“電―化學(xué)―電”的過程;是突觸前膜釋放興奮性或抑制性遞質(zhì)引起突觸后膜產(chǎn)生興奮性突觸后電位(EPSP)或抑制性突觸后電位(IPSP)的過程。

  1.EPSP是突觸前膜釋放興奮性遞質(zhì),作用突觸后膜上的受體,引起細(xì)胞膜對Na+、K+等離子的通透性增加(主要是Na+),導(dǎo)致Na+內(nèi)流,出現(xiàn)局部去極化電位。

  2.IPSP是突觸前膜釋放抑制性遞質(zhì)(抑制性中間神經(jīng)元釋放的遞質(zhì)),導(dǎo)致突觸后膜主要對Cl-通透性增加,Cl-內(nèi)流產(chǎn)生局部超極化電位。

  特點(diǎn):(1)突觸前膜釋放遞質(zhì)是Ca2+內(nèi)流引發(fā)的;(2)遞質(zhì)是以囊泡的形式以出胞作用的方式釋放出來的;(3)EPSP和IPSP都是局部電位,而不是動(dòng)作電位;(4)EPSP和IPSP都是突觸后膜離子通透性變化所致,與突觸前膜無關(guān)。 )

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